T1G4012036-FS
مشخصات
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
رده محصولات ::
ترانزیستورهای RF JFET
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
18.4 dB
Transistor Type ::
HEMT
Pd - اتلاف نیرو::
117 وات
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
36 V
بسته بندی ::
سینی
Maximum Drain Gate Voltage ::
- 2.9 V
Id - Continuous Drain Current ::
12 A
Manufacturer ::
Qorvo
مقدمه
T1G4012036-FS،از Qorvo،ترانزیستورهای RF JFET هستند. آنچه ما ارائه می دهیم قیمت رقابتی در بازار جهانی دارند،که در قطعات اصلی و جدید هستند.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: