TGF2060
مشخصات
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 3 V
Technology ::
GaAs
رده محصولات ::
ترانزیستورهای RF JFET
Mounting Style ::
SMD/SMT
کسب کردن ::
12 دسی بل
Transistor Type ::
pHEMT
Pd - Power Dissipation ::
2.1 W
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
8 V
Packaging ::
Gel Pack
Id - Continuous Drain Current ::
194 mA
Manufacturer ::
Qorvo
مقدمه
TGF2060، از Qorvo،ترانزیستورهای RF JFET است. آنچه ما ارائه می دهیم قیمت رقابتی در بازار جهانی دارند،که در قطعات اصلی و جدید هستند.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: