T1G2028536-FS
![کیفیت [#varpname#] کارخانه](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
سازنده:
قروو
توضیحات:
RF JFET Transistors DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
دسته بندی:
نیمه هادی های الکترونیک
مشخصات
Transistor Polarity ::
N-Channel
فن آوری ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
18 dB
نوع ترانزیستور::
HEMT
Output Power ::
260 W
Pd - اتلاف نیرو::
288 وات
Maximum Operating Temperature ::
+ 250 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
36 V
Packaging ::
Tray
Maximum Drain Gate Voltage ::
48 V
Id - Continuous Drain Current ::
24 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
145 V
Manufacturer ::
Qorvo
مقدمه
T1G2028536-FS،از Qorvo،ترانزیستورهای RF JFET هستند. آنچه ما ارائه می دهیم قیمت رقابتی در بازار جهانی دارند،که در قطعات اصلی و جدید هستند.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: