TGF2965-SM
مشخصات
Transistor Polarity ::
P-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
18 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
6 W
Package / Case ::
QFN-16
Maximum Operating Temperature ::
-
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
32 V
Packaging ::
Tray
Maximum Drain Gate Voltage ::
-
Id - Continuous Drain Current ::
600 mA
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 2.7 V
Pd - Power Dissipation ::
7.5 W
سازنده ::
قروو
مقدمه
TGF2965-SM،از Qorvo،ترانزیستورهای RF JFET هستند. آنچه ما ارائه می دهیم قیمت رقابتی در بازار جهانی دارند،که در قطعات اصلی و جدید هستند.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: