QPD3601
مشخصات
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
22 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
180 W
Package / Case ::
NI400-2
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
50 V
Packaging ::
Waffle
Maximum Drain Gate Voltage ::
55 V
Id - Continuous Drain Current ::
360 mA
Pd - Power Dissipation ::
60.9 W
Manufacturer ::
Qorvo
مقدمه
QPD3601، از Qorvo، ترانزیستورهای RF JFET است. آنچه ما ارائه می دهیم قیمت رقابتی در بازار جهانی دارند، که در قطعات اصلی و جدید هستند.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: