TGF3015-SM
مشخصات
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
17.1 dB
Transistor Type ::
HEMT
Pd - Power Dissipation ::
15.3 W
Package / Case ::
QFN-EP-16
Output Power ::
11 W
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
32 V
Packaging ::
Tray
شناسه - جریان تخلیه مداوم::
557 میلی آمپر
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 2.7 V
Manufacturer ::
Qorvo
مقدمه
TGF3015-SM،از Qorvo،ترانزیستورهای RF JFET هستند. آنچه ما ارائه می دهیم قیمت رقابتی در بازار جهانی دارند،که در قطعات اصلی و جدید هستند.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: