TGF2025
مشخصات
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 15 V
Technology ::
GaAs
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
14 dB
Transistor Type ::
pHEMT
Pd - Power Dissipation ::
0.89 W
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
8 V
Packaging ::
Gel Pack
Maximum Drain Gate Voltage ::
12 V
Id - Continuous Drain Current ::
81 mA
Manufacturer ::
Qorvo
مقدمه
TGF2025، از Qorvo،ترانزیستورهای RF JFET است. آنچه ما ارائه می دهیم قیمت رقابتی در بازار جهانی دارند،که در قطعات اصلی و جدید هستند.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: