IRFR220NTRPBF Infineon IR MOSFET تک کانال N

شماره بخش: IRFR220NTRPBF

خلاصه ی محصول:درIRFR220NTRPBFیک دستگاه با کارایی بالا استMOSFET کانال Nاین قطعه برای کاربردهایی که نیاز به سوئیچینگ کارآمد، مقاومت کم و عملکرد با سرعت بالا در بسته های جمع و جور دارند طراحی شده است.

ویژگی های کلیدی:

1. نوع: MOSFET کانال N
2. ولتاژ منبع تخلیه (Vds): 200 ولت
3. جریان تخلیه مداوم (Id): 8.2A
4. ولتاژ آستانه دروازه (Vgs ((th)): 2V تا 4V
5. حداکثر ولتاژ منبع دروازه (Vgs): ±20 ولت
6. مقاومت روشن (Rds ((on)): 0.55Ω در Vgs = 10V
7. کل هزینه دروازه (Qg): 20nC
8. نوع بسته بندی: DPAK (TO-252)
9. محدوده دمای عملیاتی: -55°C تا +175°C
10. انطباق تطابق با RoHS

حوزه های کاربردی:

• جابجایی برنامه ها:ایده آل برای استفاده در مدار های سوئیچینگ با سرعت بالا به دلیل قابلیت سوئیچینگ سریع آن.
• سوئیچ های بارگیری:مناسب برای کاربردهایی که نیاز به مقاومت کم و تغییر بار کارآمد دارند.
• کنورترهای DC-DC:در مدارهای تبدیل قدرت برای افزایش کارایی استفاده می شود.
• موتورهای راننده:عملکرد قابل اعتماد در برنامه های کنترل موتور فراهم می کند.
• مدیریت باتری:تضمین استفاده و حفاظت از باتری در دستگاه های باتری

نصب و استفاده:

درIRFR220NTRPBFبرای ادغام مستقیم در مدارهای الکترونیکی طراحی شده است. بسته DPAK (TO-252) اجازه می دهد تا فناوری نصب سطح فشرده (SMT) بر روی صفحه های مداری چاپی (PCB) نصب شود.استفاده و نصب مناسب برای افزایش عملکرد و قابلیت اطمینان ضروری است.

دلایل انتخاب IRFR220NTRPBF:

انتخابIRFR220NTRPBFمطمئن می شود که شما از یکMOSFET کانال N با کیفیت بالاباعملکرد عالی و قابلیت اطمیناناین جزء باعث افزایش کارایی و عملکرد سیستم های الکترونیکی شما می شود.تغییر موثرومقاومت کم.

امروز IRFR220NTRPBF را خریداری کنید تا طراحی های الکترونیکی خود را بهینه سازی کنید و عملکرد و قابلیت اطمینان برتر را تضمین کنید!

با ما تماس بگیرید:

برای اطلاعات بیشتر یا پشتیبانی فنی، لطفا به وب سایت Infineon Technologies مراجعه کنید یا با تیم خدمات مشتری آنها تماس بگیرید.آنها در دسترس هستند تا به شما در هر گونه پرسش یا پشتیبانی که ممکن است نیاز داشته باشید کمک کنند..